长鑫科技申请半导体结构及其制作方法专利，提高半导体结构的电学性能
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2025-07-18 13:08:49
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金融界2025年7月18日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN120343911A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本公开是关于一种半导体结构及其制作方法，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底包括多个位线结构和位于位线结构之间的多个存储节点接触插塞；在衬底上形成多个牺牲结构，每一个牺牲结构与一个存储节点接触插塞连接；形成隔离层，隔离层位于衬底上且填充牺牲结构围合形成的空间；去除牺牲结构，得到多个容置孔；于各容置孔中形成着陆焊盘。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息457条，此外企业还拥有行政许可34个。
来源：金融界
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