燕东微电子取得可改善氧化膜膜厚均匀性的反应装置和半导体热处理设备专利
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2025-07-19 18:10:23
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金融界2025年7月19日消息，国家知识产权局信息显示，北京燕东微电子科技有限公司取得一项名为“反应装置和半导体热处理设备”的专利，授权公告号CN223123873U，申请日期为2024年09月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体制造设备技术领域，具体提供一种反应装置和半导体热处理设备，旨在解决现有立式反应炉的腔室结构中温度场和气流场不均匀的问题。为此，本申请的反应装置，包括：底座；罩体，其具有相对的第一端和第二端，第一端设置于底座上，罩体与底座之间形成用于容纳待加工件的腔室；进气管道，其一端连通设置有进气口，进气管道与腔室连通且环绕设置于罩体的外侧，工艺气体能够由进气口经进气管道进入腔室；以及排气口，其与腔室连通，以将腔室内的工艺气体排出。该反应装置可以为工艺气体提供更大的混合空间，并减少工艺气体对温度均匀性的影响，从而改善氧化膜膜厚的均匀性。
天眼查资料显示，北京燕东微电子科技有限公司，成立于2016年，位于北京市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1200000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京燕东微电子科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1031次，专利信息154条，此外企业还拥有行政许可113个。
来源：金融界
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