长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法
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2025-06-21 12:08:49
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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120184121A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括：第一基底，设于所述第一基底上的第一键合层，所述第一键合层包括第一介质层和设于所述第一介质层中的第一键合焊垫；第二基底，设于所述第二基底上的第二键合层，所述第二键合层包括第二介质层和设于所述第二介质层中的第二键合焊垫；其中，所述第二键合焊垫沿平行于所述第二基底方向上的尺寸小于所述第一键合焊垫沿平行于所述第一基底方向上的尺寸；所述第二键合焊垫的数量大于所述第一键合焊垫的数量；所述第一键合层和所述第二键合层接合，每个所述第一键合焊垫和至少一个所述第二键合焊垫接合。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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