捷捷微电获得发明专利授权：“一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法”_电池问答

捷捷微电获得发明专利授权：“一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法”

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2025-07-23 08:39:35

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示捷捷微电（300623）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法”，专利申请号为CN202510519757.X，授权日为2025年7月22日。

专利摘要：本发明公开了一种横向结构的双向可控硅芯片及其制造方法，包括N‑型硅衬底，所述N‑型硅衬底上端设置有P型短基区组，所述P型短基区组外侧设置有P型场环组，所述P型短基区组内侧设置有N+型发射区组；本发明采用横向结构的双向可控硅，无需穿通环结构，可以大幅提高生产效率，且第一P型场环和第二P型场环深度只需35~40μm即可实现1000V的阻断电压，并且漏电更低，第一N+型发射区、第二N+型发射区和第三N+型发射区使电流密度分布更加均匀，可以承受更高的di/dt，温升更低，并且第一P型短基区和第二P型短基区区间距远，第一P型短基区和第二P型短基区区间大于250μm，寄生电容小，dv/dt高。

今年以来捷捷微电新获得专利授权8个，较去年同期减少了42.86%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了2.72亿元，同比增5.7%。

通过天眼查大数据分析，江苏捷捷微电子股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目57次；财产线索方面有商标信息100条，专利信息142条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。

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