新声半导体申请集成无源器件及其制作方法专利，提高器件性能
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2025-07-23 21:10:07
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金融界2025年7月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳新声半导体有限公司申请一项名为“一种集成无源器件及其制作方法”的专利，公开号CN120358788A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本申请公开了一种集成无源器件及其制作方法。涉及半导体技术领域。其中，集成无源器件包括衬底；以及位于衬底一侧且沿第一方向排列的第一类无源元件和第二类无源元件；其中，第一类无源元件和第二类无源元件连接，第一方向为平行于衬底表面的方向。通过将集成无源器件中在衬底上沉积的无源元件从垂直堆叠改为水平排列布局（沿平行于衬底表面的第一方向排列），至少减少一层介质层的使用，层间寄生电容和介质材料的损耗得以降低，从而提升电感Q值和自谐振频率，最终提高器件性能。进而解决了现有技术中的集成无源器件采用垂直堆叠架构布置各类无源元件，因多层介质层引入层间寄生电容与高频损耗，导致器件性能稳定性差的技术问题。
天眼查资料显示，深圳新声半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2019.5354万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳新声半导体有限公司共对外投资了12家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息33条，专利信息218条，此外企业还拥有行政许可18个。
来源：金融界
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