NEO半导体申请3D存储器单元和阵列结构专利，公开各种3D存储器单元、阵列结构和工艺
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2025-07-28 09:40:12
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，NEO半导体公司申请一项名为“3D存储器单元和阵列结构”的专利，公开号CN120380858A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，公开了各种3D存储器单元、阵列结构和工艺。在一个实施例中，一种3D存储器单元结构，包括：垂直导体芯、围绕垂直导体芯的绝缘体、围绕绝缘体的半导体层、围绕半导体层的电荷俘获层、以及围绕电荷俘获层的至少一部分的字元线层。

来源：金融界

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