骁氪立半导体申请柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法专利，提高气源利用率
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2025-07-28 18:12:21
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，骁氪立（苏州）半导体科技有限公司申请一项名为“一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法”的专利，公开号CN120366745A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本发明公开了一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法，涉及二维氮化硼薄膜强化加工技术领域，包括原子层沉积镀膜仓、传动机构和注气机构，所述原子层沉积镀膜仓的内部对称固定安装有分隔板，且分隔板的上段开设有通孔，并且原子层沉积镀膜仓的前后两侧对称安装有第一密封门，而且原子层沉积镀膜仓的内部转动安装有放料组件，同时原子层沉积镀膜仓的内部转动安装有收料组件。该一种柔性等离子体辅助原子层沉积装置及方法，通过采用CCEP温和等离子体来进行原子沉积加工，由于CCEP温和等离子体为柔性等离子体，使得该装置在进行沉积加工时即提高了气源的利用率，同时也大幅度降低了对薄膜的损伤，从而提升了二维氮化硼薄膜的质量。
天眼查资料显示，骁氪立（苏州）半导体科技有限公司，成立于2024年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本800万人民币。通过天眼查大数据分析，骁氪立（苏州）半导体科技有限公司拥有行政许可1个。
来源：金融界
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