长鑫芯瑞申请半导体器件及其制造方法专利，增大电容结构的电容量
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2025-07-28 21:40:33
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN120379253A，申请日期为2025年06月。
专利摘要显示，本公开涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制造方法，用于解决如何增大电容结构的电容量的技术问题。该半导体器件包括：晶体管结构，晶体管结构包括沿第一方向延伸的半导体主体；电容结构，位于晶体管结构沿第一方向的一侧，电容结构包括第一电极层、第二电极层以及位于第一电极层和第二电极层之间的介质层，第一电极层和半导体主体耦接；其中，第一电极层包括第一子电极和环绕第一子电极的第二子电极，第一子电极和第二子电极的轴向方向均为第一方向，介质层覆盖第一子电极的内侧壁和外侧壁以及第二子电极的内侧壁和外侧壁。如此，有利于增大第一电极层和第二电极层之间的正对面积，从而增大电容结构的电容量。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息11条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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