长鑫科技申请半导体结构及其制备方法等专利提高存储器的集成密度_电池问答

长鑫科技申请半导体结构及其制备方法等专利提高存储器的集成密度

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2025-08-01 11:40:06

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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、电子设备”的专利，公开号CN120417379A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其制备方法、电子设备，该半导体结构包括：衬底；存储阵列，设置于衬底上，包括呈阵列排布的多个存储单元，每一存储单元包括互相电连接的读晶体管和写晶体管，读晶体管和写晶体管在沿垂直于衬底表面的第一方向叠置；写字线，沿第二方向延伸，且电连接沿第二方向排布的多个存储单元中的写晶体管；读字线，沿平行于衬底表面的第二方向延伸，且电连接沿第二方向排布的多个存储单元中的读晶体管；位线，沿平行于衬底表面的第三方向延伸，在沿第三方向排布的多个存储单元中读晶体管和写晶体管共同电连接至位线，第三方向和第二方向相交。上述半导体结构可以提高存储器的集成密度。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1081次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息466条，此外企业还拥有行政许可34个。

来源：金融界

企业方法显示方向存储器电子设备导体晶体管结构专利单元半导体衬底

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