IBM申请具有背侧接触件的嵌入式ReRAM专利，提供一种包括单晶体管单电容器(1T1R)器件的半导体结构
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2025-08-01 15:12:55
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金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧接触件的嵌入式ReRAM”的专利，公开号CN120418953A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，提供了一种包括单晶体管单电容器(1T1R)器件的半导体结构，其包括：嵌入电阻式随机存取存储器(ReRAM)，其具有大于1栅极节距的宽度，存在于该结构的前侧或背侧；前侧接触结构，其电连接到1T1R器件的晶体管的源极区；以及背侧接触结构，其电连接到1T1R器件的晶体管的漏极区。

来源：金融界

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