金融界2025年8月1日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧接触件的嵌入式ReRAM”的专利,公开号CN120418953A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,提供了一种包括单晶体管单电容器(1T1R)器件的半导体结构,其包括:嵌入电阻式随机存取存储器(ReRAM),其具有大于1栅极节距的宽度,存在于该结构的前侧或背侧;前侧接触结构,其电连接到1T1R器件的晶体管的源极区;以及背侧接触结构,其电连接到1T1R器件的晶体管的漏极区。
来源:金融界
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