8月1日，氮化镓垂直整合制造商英诺赛科（02577.HK）公告，已经与英伟达达成合作，联合推动800 VDC（800伏直流）电源架构在AI数据中心的规模化落地。

800 VDC架构是英伟达针对未来高效供电兆瓦级计算基础设施而专门设计的新一代电源系统，相比传统54V电源，在系统效率、热损耗和可靠性方面具有显著优势，可支持AI算力100-1000倍的提升。

英诺赛科称，公司的第三代GaN（氮化镓）器件具备出色的高频、高效率与高功率密度等特性，为英伟达800 VDC架构提供从800V输入到GPU终端，覆盖15V到1200V的全链路氮化镓电源解决方案。随着GaN技术与英伟达800 VDC供电架构的融合，未来几年，AI数据中心将实现从千瓦级到兆瓦级的飞跃，开启更高效、更可靠、更环保的AI计算时代。

当天港股交易时间，受加入英伟达供应链消息提振，英诺赛科盘中一度拉涨逾60%，股价刷新上市以来新高，引发市场关注。当天收盘股价涨30.91%。

2025年5月，英伟达官网发布的相关文章指出，AI工作负载的指数级增长正在增加数据中心的功率需求。传统的54V机架无法支持即将进入现代AI工厂的兆瓦（MW）-scale机架。从2027年开始，英伟达将率先向800V HVDC数据中心电力基础设施过渡，以支持1MW及以上的IT机架。

为了加速采用，英伟达正在与数据中心电气生态系统中的主要行业合作伙伴合作，其中，就包括英诺赛科在内多位合作伙伴。

随着英伟达发布这一消息，资本市场就对氮化镓概念的高度关注。另一家供应商纳微半导体(Navitas)当时主动官宣了与英伟达合作开发下一代800V高压直流架构，为包括Rubin Ultra在内的GPU提供支持的“Kyber”机架级系统供电。受与英伟达合作消息提振，纳微半导体股价曾一度单日大涨近200%，截至目前已较合作信息披露前上涨超过3倍。

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线。官网显示，公司拥有两座8英寸硅基氮化镓生产基地，是全球产能最高的氮化镓器件厂商。