南通恒锐半导体申请基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法专利，使电场聚集效应较小_电池问答

南通恒锐半导体申请基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法专利，使电场聚集效应较小

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2025-08-02 17:13:59

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金融界2025年8月2日消息，国家知识产权局信息显示，南通恒锐半导体有限公司申请一项名为“一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120417406A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于碳化硅厚膜外延片的二极管及其制备方法，本发明通过清洗、沉积二氧化硅层、刻蚀、离子注入、高温退火、离子激活、再次沉积二氧化硅层、溅射离子等工序制备得到了二极管基于碳化硅厚膜外延片的二极管；又通过调整外延生长时的碳硅比等生长条件参数，实现对碳化硅厚膜外延片表面大凹坑缺陷形貌的控制，使得大凹坑缺陷控制为长条形，从而使电场聚集效应较小，相关的器件栅氧稳定性更好；并且在制备过程中使用含纳米微粒的光刻胶，纳米微粒在光照下会产生光生载流子还可以捕获电子，从而大幅提升了器件的响应度；因此本发明制备的二极管具有更广泛的应用前景。

天眼查资料显示，南通恒锐半导体有限公司，成立于2022年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，南通恒锐半导体有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可10个。

来源：金融界

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