金融界2025年8月4日消息,国家知识产权局信息显示,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“化合物及包含其的电子阻挡层材料、空穴传输层材料和有机电致发光器件”的专利,公开号CN120398849A,申请日期为2025年04月。
专利摘要显示,本申请提供了一种化合物及包含其的电子阻挡层材料、空穴传输层材料和有机电致发光器件,其中,化合物的结构式如通式(I)或通式(II)所示,化合物由二苯并六元杂环、二苯并杂环及胺基组成,在各个基团的协同作用下,得到的化合物的HOMO能级处于合适的水平,可以减小与发光层的界面Gap,有利于空穴的注入,从而使空穴和电子以更快的效率发生复合,能够降低电荷累积。本申请的化合物用于有机电致发光器件的电子阻挡层材料和空穴传输层材料时,能够降低有机电致发光器件的电压,提高效率,延长寿命。
天眼查资料显示,京东方科技集团股份有限公司,成立于1993年,位于北京市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3764501.6203万人民币。通过天眼查大数据分析,京东方科技集团股份有限公司共对外投资了72家企业,参与招投标项目264次,财产线索方面有商标信息776条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可48个。
来源:金融界