前言

早在2022年7月，安克携手英诺赛科率先发布业界首款全氮化镓GaNPrime系列多口充电器，打破氮化镓器件仅用于初级侧的传统设计范式。实测数据显示，引入次级侧氮化镓后，AC-DC损耗直降7.2%，整机效率跃升至93%，系统损耗显著降低。

近日，英诺赛科再度发力，面向PD快充“All GaN”场景推出En-FCLGA 3.3x3.3和5x6新品，可直接PIN TO PIN替换DFN 3.3x3.3及5x6封装的传统硅MOS，可以与Si MOS共板设计，降低开发成本。

英诺赛科低压氮化镓助力厂商构建All GaN解决方案

本次英诺赛科推出8款En-FCLGA封装氮化镓器件新品，还可与自家高压InnoGaN组合应用，助力厂商从零构建All GaN解决方案。

更小的栅极电荷

英诺赛科En-FCLGA封装GaN新品的栅极电荷（Qg）是同Rdson规格Si MOS的十分之一，驱动损耗显著降低，支持更高的开关频率。且应用于高边同步整流时无需加辅助供电电路，电路设计简洁。

更低的反向恢复损耗

本次英诺赛科En-FCLGA封装GaN新品无反向恢复电荷，避免了传统硅MOS反向恢复导致的关断损耗和电压尖峰；且无反向恢复电荷特性可显著降低EMI，允许更高的开关频率而无需牺牲效率。

更低的导阻

英诺赛科En-FCLGA封装GaN导阻显著低于同电压等级的硅MOS，且输出电荷更小，导通损耗和开关损耗双重降低；同时结合高频特性，可缩减变压器和输出电容体积。

散热性能优化

英诺赛科En-FCLGA封装GaN支持双面散热，既可通过PCB板层散热又可将热量通过顶部散热片传导，能够更好的解决高功率密度系统同步整流功率器件温度高的难点问题。

与Si MOS共板设计

英诺赛科En-FCLGA封装的GaN兼容DFN 3x3和5x6，与Si MOS的DFN 3x3、5x6封装PIN TO PIN，可以在同一块PCB上实现共板设计。

与英诺赛科高压氮化镓联动，形成All GaN方案

英诺赛科深耕第三代功率半导体多年，已构建起成熟完备的氮化镓器件生态，可在PD快充产品设计中实现All GaN“初次级协同”。英诺赛科All GaN方案可以进一步提升整机效率，显著抑制适配器温升，从而将产品体积压缩到极致，功率密度提升至全新高度。

英诺赛科En-FCLGA 5x6mm封装硅基氮化镓

英诺赛科En-FCLGA 5.0x6.0mm封装的硅基氮化镓（以INN100EBD018DAD为例），具备超低导阻以及栅极电荷，占板空间小，采用双面散热，大幅提升散热效率，可应对工业应用；该系列芯片器件适合高频DC-DC转换器、高密度DC/DC电源模块、同步整流、电机驱动、太阳能MPPT系统等诸多场景应用。

英诺赛科En-FCLGA 3.3x3.3mm封装硅基氮化镓

英诺赛科En-FCLGA 3.3x3.3mm的增强型硅基氮化镓（以INN100EA035A为例），同样具备超低导阻和低栅极电荷，器件体积小，采用双面散热，大幅提升散热效率，可面向工业应用；该器件适合高频DC-DC转换器、高密度DC/DC电源模块、同步整流、电机驱动、太阳能MPPT系统等诸多场景应用。

充电头网总结

英诺赛科新推的 En-FCLGA 封装氮化镓器件，具备更低驱动损耗、更低反向恢复损耗、更低导阻、散热性能更强等优势，且与Si MOS DFN 3x3、5x6 PIN TO PIN，可共板设计；同时还可与高压InnoGaN联动，形成一站式All GaN快充方案，能有效提升整机效率、抑制温升、压缩适配器体积，推动快充行业向更高功率密度、更优性能方向进化。

英诺赛科是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。凭借800项已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。