锦州精辰半导体申请半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法专利，提升材料碳化硅涂层沉积镀覆质量_电池问答

锦州精辰半导体申请半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法专利，提升材料碳化硅涂层沉积镀覆质量

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2025-08-05 09:40:20

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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，锦州精辰半导体有限公司申请一项名为“半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法”的专利，公开号CN120400794A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本发明公开了半导体晶舟低粗糙度碳化硅涂层的气相沉积装置及方法，具体涉及材料表面镀覆处理技术领域，包括反应室和石墨载台，所述反应室的内部安装有承载台，所述反应室的外部固定连接与其内部相通的若干个进气管，所述进气管的一端对称安装有与其内部相通的两个喷气头，其中一个所述喷气头的外部安装有镀覆组件，所述镀覆组件包括套接在喷气头外部的引导管，引导管的一端安装有抵台；本发明通过石墨载台、喷气头和镀覆组件的设置，在镀覆组件与石墨载台之间保持上下倾斜交错状态，使得气流方向与石墨载台的旋转方向一致，且气流稍滞后于石墨载台运动方向，利用追赶效应增强吹扫效率，提升材料碳化硅涂层沉积镀覆质量。

天眼查资料显示，锦州精辰半导体有限公司，成立于2021年，位于锦州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6334.607万人民币。通过天眼查大数据分析，锦州精辰半导体有限公司参与招投标项目11次，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

来源：金融界

半导体晶舟材料喷气装置锦州石墨涂层碳化硅专利喷气头气相反应室组件

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