美思先端申请一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器专利，大幅提高了非封闭薄膜结构的制作效率
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2025-08-05 11:13:27
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市美思先端电子有限公司申请一项名为“一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器”的专利，公开号CN120397982A，申请日期为2025年07月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MEMS薄膜制作方法及MEMS薄膜传感器，该制作方法包括，使用反应性离子刻蚀工艺对晶圆表面的薄膜材料进行局部刻蚀，形成通孔/通槽；使用涂覆工艺或沉积工艺，将填充材料填充于上述步骤形成的通孔/通槽中；使用电感耦合等离子体刻蚀工艺，在所述晶圆背离所述薄膜材料的一侧进行背腔刻蚀；去除填充的所述填充材料，得到保留薄膜材料的薄膜结构。上述MEMS薄膜制作方法，使用填充材料对通孔/通槽进行覆盖，确保在对晶圆进行背腔刻蚀的过程中不会造成薄膜上下贯通，大幅提高了非封闭薄膜结构的制作效率，可高效、可靠地加工得到具备非封闭薄膜结构的MEMS传感器。
天眼查资料显示，深圳市美思先端电子有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1227.272727万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美思先端电子有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息121条，此外企业还拥有行政许可25个。
来源：金融界
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