NEO半导体申请3D阵列结构及工艺专利，公开各种3D阵列结构和工艺
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2025-08-05 15:16:21
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，NEO半导体公司申请一项名为“3D阵列结构及工艺”的专利，公开号CN120418962A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，公开了各种3D阵列结构和工艺。在一个实施例中，提供了一种字元线阶梯结构，其包括：多个字元线层，其与多个绝缘层交替沉积以形成叠层；第一字元线阶梯，其包括所述叠层中的所有层。该字元线阶梯结构还包括一个或多个附加字元线阶梯，使得每个相继的附加字元线阶梯形成为包括比前一个字元线阶梯的叠层中更少的层，以形成所述字元线阶梯结构。该阶梯结构还包括多个接触孔，其形成在每个字元线阶梯中，以与字元线阶梯内的多个字元线层接触。

来源：金融界

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