重庆万国半导体取得深缓冲层高密度沟槽IGBT器件及制备方法专利
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2025-08-05 17:13:44
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金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,重庆万国半导体科技有限公司取得一项名为“一种深缓冲层高密度沟槽的IGBT器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN115332329B,申请日期为2022年08月。

天眼查资料显示,重庆万国半导体科技有限公司,成立于2016年,位于重庆市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本46093.126499万美元。通过天眼查大数据分析,重庆万国半导体科技有限公司参与招投标项目35次,财产线索方面有商标信息10条,专利信息147条,此外企业还拥有行政许可19个。

来源:金融界

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