吉莱微电子取得深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法专利
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2025-08-05 23:12:20
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，江苏吉莱微电子股份有限公司、成都吉莱芯科技有限公司取得一项名为“一种深槽填充结构的950V超结MOS器件及其制作方法”的专利，授权公告号CN120224745B，申请日期为2025年05月。
天眼查资料显示，江苏吉莱微电子股份有限公司，成立于2001年，位于南通市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5224.5351万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏吉莱微电子股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目25次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息95条，此外企业还拥有行政许可16个。
成都吉莱芯科技有限公司，成立于2018年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都吉莱芯科技有限公司专利信息30条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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