铠侠申请半导体装置的制造方法专利，提供提高了可靠性和制造成品率的半导体装置的制造方法
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2025-08-16 18:13:26
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金融界2025年8月15日消息，国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120500043A，申请日期为2024年08月。

专利摘要显示，提供提高了可靠性和制造成品率的半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法，包括以下步骤：准备具有被加工膜的基板；通过使用包含氟化氢的气体的等离子体进行第一蚀刻，从而在所述被加工膜形成凹部；在不施加高频电力的状态下，向所述凹部供给包含氮和氢的气体，从而形成包含氮和氢以及氟的第一保护层；利用所述等离子体对形成有所述第一保护层的所述凹部进行第二蚀刻。

来源：金融界

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