惠存半导体申请提升RAM读写性能方法专利，智能化提升RAM读写性能
创始人
2025-06-23 20:38:05
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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市惠存半导体有限公司申请一项名为“一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质”的专利，公开号CN120179170A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请实施例公开了一种提升RAM读写性能的方法、电子设备及介质，该方法包括：获取RAM的目标环境参数；获取当前时刻的RAM的当前读写速率；获取与目标环境参数对应的参考读写速率；在当前读写速率小于参考读写速率时，确定RAM的第一内存使用参数，第一内存使用参数包括第一总内存使用量和预设时间段内各个进程内存占用的第一内存变化监控数据，预设时间段为当前时刻之间预设时长的一个时间段；第一总内存使用量为当前时刻对应的RAM的总内存使用量；根据第一总内存使用量和第一内存变化监控数据识别a个异常进程；限制a个异常进程中的b个异常进程，以提升RAM读写性能。
天眼查资料显示，深圳市惠存半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市惠存半导体有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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