深圳争妍微电子申请一种反激式功率集成二极管及其制备方法专利，使高压慢恢复二极管的有源区的反向恢复时间增加
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2025-08-16 19:40:36
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，深圳争妍微电子有限公司申请一项名为“一种反激式功率集成二极管及其制备方法”的专利，公开号CN120500060A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明涉及一种反激式功率集成二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，包括如下步骤：淀积硬掩膜：在衬底上淀积硬掩膜；Trench光刻与沟槽刻蚀：利用光刻技术将设计好的沟槽图案转移到硬掩膜上；沟槽氧化：对刻蚀好的沟槽进行氧化处理；化学机械抛光：采用化学机械抛光工艺将沟槽内部的氧化层抛光；场氧化：对沟槽外部进行场氧化，生长场氧化层。
天眼查资料显示，深圳争妍微电子有限公司，成立于2024年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳争妍微电子有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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