蓝芯芯电子等申请碳化硅MOS器件制造相关专利，简化生产工序
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2025-08-18 21:47:27
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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，蓝芯芯电子科技（深圳）有限公司;上海亚曼光电科技有限公司申请一项名为“一种碳化硅MOS器件的制造方法及碳化硅MOS器件”的专利，公开号CN120500069A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本发明公开了一种碳化硅MOS器件的制造方法及碳化硅MOS器件。本发明的碳化硅MOS器件的制造方法通过同一个离子注入区注入铝离子和硼离子，利用铝离子和硼离子在碳化硅材料中的扩散能力差别形成了碳化硅MOS器件P+区和P‑区的基本结构，简化了生产工序，降低了制作成本；整个制造方法不需要多次的光刻、刻浊及膜层再生，减少了生产周期；此外，本发明的制造方法通过淀积生长二氧化硅膜层，并在离子注入窗口通过干法刻蚀形成二氧化硅侧墙，形成离子注入区域并以此注入两种性能不同的离子形成P+区和P‑区的方式解决了传统工艺中铝离子注入P‑区时掺杂浓度难以精确控制，影响器件电学性能的问题，通过注入不同扩散能力的离子保证了P+区和P‑区的掺杂浓度。

来源：金融界

制造 方法 显示 器件 相关 生产 离子 碳化硅 蓝芯芯 专利 硼离子 铝离子

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