金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,国际商业机器公司申请一项名为“埋藏位线上的电阻式随机存取存储器”的专利,公开号CN120513699A,申请日期为2023年11月。
专利摘要显示,提供了一种半导体结构,其包括位于嵌入在浅沟槽隔离结构(12)中的位线(28)表面上的电阻式随机存取存储器。该结构还可包括位于位线(28)上方或嵌入在浅沟槽隔离结构(12)中的源极线(SL)。
来源:金融界
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