当地时间9月23日美股盘后，全球存储芯片巨头美光科技公布2025财年第四财季报告。财报显示，第四季度营收为113.2亿美元，同比增长46%；营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，均超出市场预期。财报公布后，收涨逾1%的美光股价拉升，盘后一度涨超4%，最高达174.89美元/股，此后涨幅收窄到1%以内。年初以来，美光股价几乎已经实现翻倍。

上证报中国证券网讯（记者 窦世平）当地时间9月23日美股盘后，全球存储芯片巨头美光科技公布2025财年第四财季报告。财报显示，第四季度营收为113.2亿美元，同比增长46%；营业利润为39.55亿美元，同比增长126.6%，均超出市场预期。财报公布后，收涨逾1%的美光股价拉升，盘后一度涨超4%，最高达174.89美元/股，此后涨幅收窄到1%以内。年初以来，美光股价几乎已经实现翻倍。

美光营收的增长，意味着AI需求的持续强劲，存储芯片供不应求，存储价格迎来上涨周期。24日的A股盘面上，存储芯片板块持续活跃，市场看好国产存储产业链未来的发展机遇。

供应紧张局面将持续到明年

美光2025财年第四财季的业绩增长，特别是HBM业务的显著提升，被视为人工智能需求旺盛的强劲信号。HBM是DRAM的一种，涉及将芯片垂直堆叠以降低功耗，有助于处理大量数据，这使其在人工智能开发中极具价值。美光高层在财报发布后的电话会议上表示，第四季度美光的HBM收入增长至近20亿美元，该产品的年化营收接近80亿美元。

按照业务类型划分，美光第四财季DRAM（内存）营收为90亿美元，环比增长27%，约占总营收的79%；NAND（闪存）营收23亿美元，环比增长5%，约占总营收的20%。

受益于人工智能设备需求的推动，美光科技对2026财年给出了乐观展望，预计第一季度营收为125亿美元，每股收益为3.75美元。公司预计DRAM和NAND市场将继续增长，这主要由AI需求推动，资本支出预计将增加，以支持进一步扩张和技术进步。

“在未来几年，预计将有数万亿美元投资于AI，其中相当大一部分将用于存储。”美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示。

进入9月，由于供应紧张，海外存储大厂相继对报价进行调整，其中闪迪向渠道和消费者客户的闪存产品涨价超10%，美光上调价格20%至30%，三星近日对其DRAM和NAND闪存产品也进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。

美光预计，内存芯片的供应紧张局面将持续到明年。数据中心设备的需求持续增长，让相关企业难以满足订单需求。人工智能相关业务也推动了对Nand闪存（美光第二大产品线）等存储芯片的需求。美光透露，已就2026年大部分HBM3e型内存芯片达成价格协议，并且已经开始提供下一代芯片HBM4的样品。美光预计将通过固定合同销售这些产品，这将有助于确保收入稳定。

国产存储有望获得更多市场

新催化因素再次佐证了AI产业链行情的持续性，随着AI需求持续强劲，存储芯片价格迎来全面上涨。9月24日，A股盘面上，存储芯片概念表现活跃，通富微电、江丰电子、兴福电子、诚邦股份、北方华创、深科技等均涨停。从资金流入来看，24日存储芯片板块收涨4.18%，净流入134.20亿元。

展望后市：业内认为，存储供需缺口或持续扩大。需求端，AI应用推动及数据中心、客户端、移动领域存储需求强劲；供应端，行业面临供应紧缩，一方面NAND生产商将产量转向下一代节点致低密度芯片供应紧缺，另一方面部分供应商因财务困境短期难扩产。华泰证券认为，AI相关先进逻辑和存储仍然是资本支出的主要驱动力，看好AI相关需求和中国先进逻辑扩产的结构性机会。

国产存储产业链或迎来发展机遇。赛腾股份表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中。此外，中微公司在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。

江波龙近日接受机构调研时称，公司在自有核心知识产权、技术能力的基础上，企业级存储产品已获得多个不同行业头部客户的广泛认可。同时，公司企业级PCIe SSD 与 RDIMM产品已开始批量导入国内头部企业。公司积极布局数据中心应用领域的高性能存储产品，拓展CXL2.0、MRDIMM等多种新型内存，并正式发布SOCMM2。

东方证券研报指出，AI带动的需求持续性一直是本轮DRAM涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性。HBM4时代，三星有望与SK海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM供应商有望获得更大市场空间。