应用材料申请双场效应晶体管4F²单元专利，针对垂直动态随机存取存储器单元和阵列及形成方法
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2025-11-25 12:07:43
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“双场效应晶体管4F²单元”的专利，公开号CN121003020A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，本技术一般针对垂直动态随机存取存储器（DRAM）单元和阵列，以及形成这种单元和阵列的方法，它们包含两个相邻沟道之间的共享字线。单元包括沿第一水平方向布置的位线、第一沟道、第二沟道以及在第一沟道和第二沟道之间沿第二水平方向布置的共享字线。单元包括其中的第一沟道和第二沟道在垂直方向上延伸，此垂直方向与第一水平方向和第二水平方向正交，使得位线与第一沟道和第二沟道的源极/漏极区相交，共享字线与第一沟道和第二沟道的栅极区相交。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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