中芯国际申请半导体结构及其形成方法、掩膜版图专利，提高半导体结构的电学性能_电池问答

中芯国际申请半导体结构及其形成方法、掩膜版图专利，提高半导体结构的电学性能

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2025-11-27 11:20:02

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司、中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、掩膜版图”的专利，公开号CN 121013374 A，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、掩膜版图，结构包括：基底；栅极结构，位于基底的顶部，栅极结构的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直且与基底表面相平行的方向为第二方向；源漏掺杂层位于栅极结构两侧的基底中；源漏插塞，位于源漏掺杂层的顶部，且源漏插塞在第二方向上的尺寸小于源漏插塞在第一方向上的尺寸；介质层，位于基底的顶部，且覆盖栅极结构和源漏插塞的侧壁。使位于栅极结构两侧的源漏插塞之间的节距(pitch)变小，由于栅极结构两侧的源漏插塞之间的导通电阻(Rdson)与源漏插塞之间的节距呈正相关，相应的，在栅极结构两侧的源漏插塞之间的节距变小时，源漏插塞之间的导通电阻也得到降低，从而提高了半导体结构的电学性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目109次，专利信息390条，此外企业还拥有行政许可291个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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