南亚科技申请具有不均匀厚度的介电层的半导体元件专利，本公开提供一种半导体元件及其制备方法
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2025-06-27 22:38:48
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金融界2025年6月27日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“具有不均匀厚度的介电层的半导体元件”的专利，公开号CN120224763A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底、一介电层以及一栅极电极。该介电层至少部分嵌入该基底内。该介电层具有依第一部分和一第二部分，该第一部分具有一第一厚度，该第二部分具有一第二厚度，该第二厚度小于该第一厚度。该栅极电极通过该介电层的该第一部分而与该基底间隔开。

来源：金融界

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