长江存储申请半导体器件及其形成方法专利，第一触点结构与第一半导体结构在第三方向上的中心对准
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2025-12-01 10:36:55
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121040237A，申请日期为2024年3月。专利摘要显示，一种半导体器件包括：在第一方向和第二方向上延伸的第一栅极结构与第二栅极结构；在第一方向和第二方向上延伸的沉积在第一栅极结构与第二栅极结构之间的第一隔离结构；在第一方向上延伸的沉积在第一栅极结构与第一隔离结构之间的第一半导体结构；沉积在第一半导体结构上的第一触点结构；沉积在第一栅极结构上的第一电介质层；以及沉积在第一隔离结构上的第二电介质层。第一触点结构的第一端在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上的第一中心与第一半导体结构在第三方向上的第二中心对准。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1437次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可995个。
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