美思先端申请基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法专利，在芯片尺寸及工艺复杂度不增加的同时提高探测的输出电压_电池问答

美思先端申请基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法专利，在芯片尺寸及工艺复杂度不增加的同时提高探测的输出电压

创始人

2025-12-01 21:11:46

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市美思先端电子有限公司申请一项名为“一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121038575A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法，该制备方法包括对绝缘层上硅晶圆进行清洗及烘干并对顶层单晶硅进行刻蚀形成条带状的热电偶条；在热电偶条的上层沉积二氧化硅层并刻蚀形成互联通孔，沉积第一金属层并填充互联通孔后刻蚀并保留与所述热电偶条互联的部分及位于热电偶区域的部分，在第一金属层上依次沉积钝化层及第二金属层，对第二金属层进行刻蚀形成超表面并对钝化层进行刻蚀形成局部开孔，对绝缘层下硅晶圆进行腔体刻蚀得到具有热电堆悬浮膜结构的热电堆传感器。上述制备方法，通过制备单晶硅热电偶结构提高塞贝克系数、制备超表面结构增加红外吸收效率，在芯片尺寸及工艺复杂度不增加的同时提高探测的输出电压。

天眼查资料显示，深圳市美思先端电子有限公司，成立于2015年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1275.717703万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美思先端电子有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可28个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业进行单晶硅投资热电深圳市电压金属层传感器专利工艺复热电堆传感器

上一篇：泰达电子申请电源装置专利，提升电源装置的空间利用率

下一篇：亚世光电：11月28日高管边瑞群减持股份合计63.07万股

美思先端申请基于单晶硅和超表面的热电堆传感器及其制备方法专利，在芯片尺寸及工艺复杂度不增加的同时提高探测的输出电压

相关内容

热门资讯