谱析光晶半导体取得具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺专利
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2025-12-04 01:36:28
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国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司取得一项名为“一种具有应变硅沟道的增强型MOSFET结构及其制造工艺”的专利，授权公告号CN 120813015 B，申请日期为2025年9月。
天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目20次，专利信息189条，此外企业还拥有行政许可2个。
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来源：市场资讯
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