美浦森半导体申请基于SiC超结的开关特性调控方法及系统专利，可提高优化超结结构以改善开关特性_电池问答

美浦森半导体申请基于SiC超结的开关特性调控方法及系统专利，可提高优化超结结构以改善开关特性

创始人

2025-12-05 21:36:56

0次

国家知识产权局信息显示，深圳市美浦森半导体有限公司申请一项名为“基于SiC超结的开关特性调控方法及系统”的专利，公开号CN121077439A，申请日期为2025年8月。

专利摘要显示，本发明涉及开关特性调控技术领域，一种基于SiC超结的开关特性调控方法及系统，包括：确定超结结构分层设计及碳化硅衬底，获取SiC超结器件，对SiC超结器件进行开关特性测试，得到合格SiC超结器件，获取第一边界电流值及第二边界电流值，设置开关模式集及驱动电压集，获取负载电路，对负载电路进行集成，得到驱动电路及负载电流，接收开关调控指令，根据负载电流、第一边界电流值、第二边界电流值、开关模式集、驱动电压集及开关调控指令确认出开关调控模式，根据开关调控模式对驱动电路进行调控，得到驱动电路调控模式，基于驱动电路调控模式完成基于SiC超结的开关特性调控。本发明可提高优化超结结构以改善开关特性。

天眼查资料显示，深圳市美浦森半导体有限公司，成立于2014年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市美浦森半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息80条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法特性投资电流值调控深圳市开关导体专利电流结器件 SiC

上一篇：博维逻辑申请铁电存储器及控制方法专利，能在铁电存储阵列单元中存储第一数据

下一篇：太原市迎泽区委书记李慧被查

美浦森半导体申请基于SiC超结的开关特性调控方法及系统专利，可提高优化超结结构以改善开关特性

相关内容

热门资讯