欣盛半导体申请高透光度透明导电电路及其制备方法专利，提高透光度
创始人
2025-12-08 09:08:23
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国家知识产权局信息显示，常州欣盛半导体技术股份有限公司申请一项名为“高透光度透明导电电路及其制备方法”的专利，公开号CN121075729A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开了一种高透光度透明导电电路及其制备方法，该高透光度透明导电电路，包括：电极层、两个基材层和至少一个增透层；所述电极层包括导电线路；两个所述基材层分别位于电极层的上下两端；至少一个所述增透层位于至少一个基材层的外侧；所述增透层用于干涉入射基材层的反射光线的相位，以降低光线的反射率。本发明具有干涉入射基材层的反射光线的相位，降低反射光强度，提高透光度的优点。
天眼查资料显示，常州欣盛半导体技术股份有限公司，成立于2016年，位于常州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本32138.5706万人民币。通过天眼查大数据分析，常州欣盛半导体技术股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息32条，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可20个。
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来源：市场资讯
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