中芯国际申请半导体结构及其形成方法专利，提高半导体结构的性能
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2025-12-09 08:37:05
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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121078774A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：基底；沟道结构层，位于所述基底上方；器件栅极结构，位于所述基底上，且横跨所述沟道结构层；源漏掺杂层，位于所述器件栅极结构两侧的沟道结构层中，且与所述沟道结构层沿其延伸方向的端部相接触；源漏插塞，位于所述源漏掺杂层内并与所述源漏掺杂层电连接，且所述源漏插塞的侧壁被所述源漏掺杂层环绕覆盖。采用上述技术方案，通过使得源漏掺杂层环绕覆盖源漏插塞，能够提高源漏插塞与源漏掺杂层间的接触面积，从而降低源漏插塞与源漏掺杂层的接触电阻，因而能够提高半导体结构的性能。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。
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来源：市场资讯
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