荣芯半导体申请图像传感器及其制备方法专利，第一隔离区和第二隔离区连接形成注入隔离区
创始人
2025-12-26 15:07:52
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“一种图像传感器及其制备方法”的专利，公开号CN121218717A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种图像传感器及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有第一表面和第二表面，衬底包括第一区域；对第一区域的衬底的第一表面执行第一离子注入工艺，以在第一区域的衬底中形成第一隔离区，第一隔离区位于深沟槽底部区域，相邻的第一隔离区之间的衬底中设置有像素单元；在第一区域的衬底的第二表面形成至少一个深沟槽，每个深沟槽和每个第一隔离区对应设置，每个深沟槽自衬底的第二表面延伸至衬底的内部且露出第一隔离区，每个深沟槽位于相邻的像素单元之间；对第一区域的衬底的第二表面执行至少一次第二离子注入工艺，以形成位于深沟槽顶部区域的第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区连接形成注入隔离区；在每个深沟槽中形成隔离层。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息86条。
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来源：市场资讯
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