长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，该制造方法工艺简单
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2025-12-30 21:38:57
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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN121237783A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制造方法，包括：在基底上形成叠层；在所述叠层中形成多个下电极，所述下电极包括位于所述叠层中的主体部和突出于所述叠层的延伸部；对所述延伸部进行刻蚀，以使所述延伸部的水平宽度小于所述主体部的水平宽度；在所述叠层上依次形成介质层和导电膜层，所述介质层和所述导电膜层覆盖所述延伸部；对所述导电膜层进行刻蚀，以暴露出所述叠层，且形成多个导电支撑层；对所述叠层进行刻蚀，以暴露出所述主体部；在所述主体部上形成介质层；在所述介质层上形成上电极。该制造方法工艺简单。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息236条，专利信息639条，此外企业还拥有行政许可34个。
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来源：市场资讯
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