中镓半导体申请氮化镓HEMT器件制作方法专利，提升晶圆Vth均匀性_电池问答

中镓半导体申请氮化镓HEMT器件制作方法专利，提升晶圆Vth均匀性

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2026-01-03 11:08:47

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国家知识产权局信息显示，东莞市中镓半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓HEMT器件制作方法”的专利，公开号CN121262845A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓HEMT器件制作方法，包括：在生长衬底上通过MOCVD和/或HVPE工艺形成外延层，所述外延层包括氮化镓沟道层、AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上通过沉积工艺形成介质层；在所述外延层及介质层上光刻定义源极、漏极的区域，并蚀刻打开源极接触窗和漏极接触窗；在所述介质层和外延层上光刻定义源极、漏极以及栅极的金属图形区域，并在金属图案区域依次蒸镀第一Ti层、中间Al层和第二Ti层，以形成Ti/Al/Ti金属叠层，在第一温度范围内对所述Ti/Al/Ti金属叠层进行同步退火，以使得所述Ti/Al/Ti金属叠层合金化进而形成源极、漏极和栅极，所述第一温度范围为500-600℃。与现有技术相比，本发明可以有效简化流程、降低成本、提升晶圆Vth均匀性。

天眼查资料显示，东莞市中镓半导体科技有限公司，成立于2009年，位于东莞市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本13010万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞市中镓半导体科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息220条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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