国家知识产权局信息显示,无锡尚积半导体科技股份有限公司申请一项名为“用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备”的专利,公开号CN121250300A,申请日期为2025年12月。
专利摘要显示,本申请公开了一种用于改善镀膜均匀性的调节挡片及氧化钒薄膜沉积设备,调节挡片包括挡片本体,挡片本体设于氧化钒薄膜沉积设备的气嘴上方、并位于靶材与载台之间,挡片本体上开设有多个通孔,多个通孔在挡片本体上呈非均匀分布,且通孔的分布密度、尺寸与无挡片时沉积所得的氧化钒薄膜的厚度分布呈负相关,通孔能精准解决氧化钒薄膜厚度不均、电阻不均的问题,且调节挡片的运用无需依赖温度、压力等全局工艺参数,突破了现有技术优化窗口狭窄的瓶颈;氧化钒薄膜沉积设备通过运用调节挡片,一方面无需对设备现有的核心部件进行大规模改造,另一方面能精准解决传统设备中薄膜中间厚、边缘薄的厚度不均问题与中心氧高、边缘氧低的电阻不均问题。
天眼查资料显示,无锡尚积半导体科技股份有限公司,成立于2021年,位于无锡市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本2166.4515万人民币。通过天眼查大数据分析,无锡尚积半导体科技股份有限公司共对外投资了6家企业,参与招投标项目21次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息173条,此外企业还拥有行政许可16个。
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来源:市场资讯