国家知识产权局信息显示,长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法、存储系统”的专利,公开号CN121284949A,申请日期为2024年7月。
专利摘要显示,本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括电容介质层、第一电极层和分隔结构。第一电极层位于电容介质层的一侧。分隔结构位于相邻第一电极层之间。第一电极层具有曲面。该曲面部分沿第一方向延伸,部分沿第二方向延伸。第一方向和第二方向相交。
天眼查资料显示,长江存储科技有限责任公司,成立于2016年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析,长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业,参与招投标项目1439次,财产线索方面有商标信息974条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可995个。
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