华虹宏力申请闪存存储器制造方法专利，增大字线氧化和字线刻蚀的工艺窗口
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2026-01-12 18:09:32
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存存储器及其制造方法”的专利，公开号CN121310536A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种闪存存储器的制造方法，回刻字线材料层，字线材料层的顶表面高于第二侧墙的顶表面且低于第一侧墙的顶表面；执行快速热氧化工艺，将字线材料层的顶部氧化形成第一氧化层，以使字线材料层的顶表面不高于第二侧墙的顶表面；形成第二氧化层，第二氧化层覆盖第一氧化层。本发明在字线回刻之后增加快速热氧化工艺形成致密的第一氧化层，快速热氧化工艺的温度高、升温快且时间短，既可以消耗横跨第二侧墙上的字线多晶硅，又可以避免炉管热氧化工艺生长氧化层因时间长导致字线晶粒长大不能充分氧化问题，后续的回填第二氧化层能够弥补因快速热氧化工艺时间短无法长出很厚第一氧化层的问题，从而增大字线氧化和字线刻蚀的工艺窗口。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
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来源：市场资讯
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