英飞凌申请用于检测半导体设备中的分层或磨损的横向测量专利，实现退化问题的早期检测
创始人
2026-01-12 18:37:07
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国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“用于检测半导体设备中的分层或磨损的横向测量”的专利，公开号CN121310970A，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本公开涉及用于检测半导体设备中的分层或磨损的横向测量。电路设备可以被配置为执行与设备中的分层或陷坑相关联的退化问题的早期检测。设备可以包括：半导体层，其包括一个或多个功率晶体管的至少一部分；金属化层，被形成在半导体层之上；以及多个激发元件，多个激发元件被形成到半导体层中，其中激发元件延伸穿过半导体层到达金属化层，使得激发脉冲可以被递送到第一激发元件中，并且在横向穿过金属化层之后从第二激发元件接收。
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来源：市场资讯
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