威比特纳米技术申请电阻式随机存取存储器的多步形成专利，防止选择器设备承受应力
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2026-01-19 16:08:13
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国家知识产权局信息显示，威比特纳米技术有限公司申请一项名为“电阻式随机存取存储器RERAM的多步形成”的专利，公开号CN121359201A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，在第一次使用电阻式随机存取存储器（ReRAM）之前，需要进行形成过程。在此过程中，每个ReRAM单元的细丝从未知状态或高电阻状态（HRS）设置为低电阻状态（LRS）。为了防止已经形成的LRS的相邻选择器设备受到应力，提供了一种多步形成过程。该过程首先在低电流下施加高电压，然后将高压减小至更低电压，并将电流增大至更高电流。在形成的最后一步，施加低电压和高电流。在任何时候，任何选择器设备都不会由于施加超过选择器设备限制的漏极到源极电压降而承受应力。漏极到源极电压降可以通过流过选择器设备的电流来确定。
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来源：市场资讯
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