长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，提供一种半导体结构及制备方法、存储器系统_电池问答

长江存储申请半导体结构及其制备方法、存储系统专利，提供一种半导体结构及制备方法、存储器系统

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2025-07-02 13:08:48

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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法、存储系统”的专利，公开号CN120239260A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本申请实施方式提供了一种半导体结构及制备方法、存储器系统。半导体结构包括：半导体柱、位线以及位线隔离结构。半导体柱沿第一方向延伸，并包括在第一方向相对的顶部和底部；位线在与第一方向相交的第二方向延伸，并连接多个半导体柱的底部；以及在与第一方向、第二方向相交的第三方向，多个位线隔离结构与多个位线交替设置。其中多个位线隔离结构中的至少一个包括空气间隙，在与第一方向相交的方向上，空气间隙的第一端尺寸大于其第二端的尺寸，其中第一端相对于第二端靠近顶部。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息977条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

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