力晶积成申请半导体结构专利，提升连接导线与基底穿孔的集成度
创始人
2026-01-21 11:39:19
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国家知识产权局信息显示，力晶积成电子制造股份有限公司申请一项名为“半导体结构”的专利，公开号CN121358305A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开一种半导体结构，包括多个第一晶圆与基底穿孔。多个第一晶圆包括多个连接导线。每个连接导线位于对应的第一晶圆中。基底穿孔穿过多个第一晶圆与多个连接导线的多个端部。多个端部嵌入基底穿孔。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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