广微集成申请深浅协同沟槽肖特基二极管专利，有效降低肖特基二极管反向漏电流
创始人
2026-01-21 19:39:18
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国家知识产权局信息显示，广微集成技术（深圳）有限公司申请一项名为“一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121357923A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明公开一种深浅协同沟槽的肖特基二极管及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，包括：N型衬底；位于N型衬底上的N型外延层；位于N型外延层上的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的深度大于第二沟槽的深度；位于第一沟槽和第二沟槽内的介质层；位于第一沟槽和第二沟槽内的多晶硅；位于N型外延层上的肖特基金属层；位于肖特基金属层上的正面金属层；位于N型衬底底部的背面金属层。本发明通过设置深浅协同沟槽，有效降低肖特基二极管反向漏电流，提高器件反向耐压，同时保持较低的正向导通压降。
天眼查资料显示，广微集成技术（深圳）有限公司，成立于2016年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2176.47万人民币。通过天眼查大数据分析，广微集成技术（深圳）有限公司财产线索方面有商标信息2条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可14个。
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来源：市场资讯
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