华虹半导体申请超深沟槽氧化铝的填充方法专利，有效避免孔洞和缝隙的产生
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2026-01-22 11:09:47
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国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“超深沟槽氧化铝的填充方法”的专利，公开号CN121368140A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种超深沟槽氧化铝的填充方法，提供一晶圆，所述晶圆上具有需要填充氧化铝的超深沟槽；将所述晶圆送入反应腔室，通入TMA/N2O作为前驱体，在所述超深沟槽的侧壁和底部沉积氧化铝薄膜；在沉积所述氧化铝薄膜的过程中，通过控制反应腔室内的压力、温度以及TMA/N2O的脉冲时间，使得所述氧化铝薄膜在所述超深沟槽内自下而上进行填充，有效避免孔洞和缝隙的产生。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2944次，专利信息1983条，此外企业还拥有行政许可117个。
华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息167条，此外企业还拥有行政许可229个。
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来源：市场资讯
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