三安半导体申请微发光元件及其制备方法专利，提高Micro LED的产品良率
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2026-01-22 22:14:01
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国家知识产权局信息显示，泉州三安半导体科技有限公司申请一项名为“一种微发光元件及其制备方法”的专利，公开号CN121368237A，申请日期为2024年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种微发光元件及其制备方法，包括：驱动基板；第一键合层，设置于驱动基板之上，第一键合层包括按照一定间隔排列的金属层和设置在所述金属层之间的绝缘层；第二键合层；设置于第一键合层之上，包括介质层和若干通孔，若干通孔贯穿介质层，通孔中填充导电材料，介质层为绝缘材料；若干个外延层，若干个外延层按照一定间距设置在所述第二键合层之上；钝化层，设置于所述外延层外壁以及第二键合层上，并在外延层上表面以及第二键合层上表面有开孔；N电极层，设置于所述钝化层上方。本发明的设计使得相邻两个外延层电隔离，无需对键合层进行蚀刻，有效避免微发光元件过度蚀刻、蚀刻不完全、侧壁金属残留等问题，提高Micro LED的产品良率。
天眼查资料显示，泉州三安半导体科技有限公司，成立于2017年，位于泉州市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本500000万人民币。通过天眼查大数据分析，泉州三安半导体科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目60次，专利信息632条，此外企业还拥有行政许可374个。
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来源：市场资讯
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