华虹宏力申请MIM电容的制作方法专利，提高晶圆边缘良率
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2025-07-02 20:09:19
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金融界2025年7月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“MIM电容的制作方法”的专利，公开号CN120239286A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种MIM电容的制作方法，先刻蚀图形化下极板金属层形成开孔，从而形成电容的下极板；后续刻蚀部分厚度的板间介质层，剩余厚度的板间介质层防止电容的中间介质层侧掏导致可靠性差；剩余厚度的板间介质层确保电容可靠性的同时，由于前面已经图形化下极板金属层形成下极板，后续剩余厚度的板间介质层即使还存在厚度不均一的问题，在后面已经不再需要再形成抗反射薄膜以及光阻层进行图形化下极板金属层，避免光阻层因剩余厚度的板间介质层厚度不均导致的倾斜或崩塌，如此一来，完成形成上极板的步骤，就已经完成了MIM电容的制作，确保MIM电容所在晶圆平整，晶圆边缘也平整，提高晶圆边缘良率。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目901次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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