华虹宏力申请深沟槽隔离结构及其制造方法专利，提高了器件的击穿电压和可靠性_电池问答

华虹宏力申请深沟槽隔离结构及其制造方法专利，提高了器件的击穿电压和可靠性

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2026-01-26 18:11:05

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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体制造（无锡）有限公司申请一项名为“深沟槽隔离结构及其制造方法”的专利，公开号CN121398570A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本发明提供一种深沟槽隔离结构及其制造方法。该方法在形成深沟槽及隔离氧化层后，在沟槽内分两步填充多晶硅：先填充第一多晶硅层；再于其表面形成一层薄的阻挡氧化层；最后填充第二多晶硅层以填满沟槽。本发明形成的结构中，该阻挡氧化层作为物理屏障，在后续高温工艺中有效阻断硅原子重排，从根本上抑制了靠近衬底的第一多晶硅层因体积收缩而形成有害空洞，保证了其连续性，从而提高了器件的击穿电压和可靠性。

天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目930次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目376次，专利信息169条，此外企业还拥有行政许可229个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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