天成高科申请光电器件及制备方法专利，解决了单一涂层设计导致光取出效率低或漏光严重的矛盾_电池问答

天成高科申请光电器件及制备方法专利，解决了单一涂层设计导致光取出效率低或漏光严重的矛盾

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2026-01-27 22:44:21

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国家知识产权局信息显示，天成高科（深圳）有限公司申请一项名为“一种光电器件及制备方法”的专利，公开号CN121398312A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明涉及光电封装技术领域，尤其涉及一种光电器件及制备方法，其中光电器件包括载板、驱动芯片和至少一个发光芯片；载板的正面的边缘区域覆盖设有遮光层，遮光层的包围区域覆盖设有反光层；遮光层高出任一功能焊盘、且与反光层齐平，反光层设有第一开窗区域；结构上采用双面导电的载板，无需额外连接件即可实现外部电路连接，各元件集成封装的体积更小，适配高密度集成需求；遮光层阻断边缘光泄漏，反光层提升光取出效率，解决了单一涂层设计导致光取出效率低或漏光严重的矛盾。其方法步骤包括形成遮光层、反光层的工艺，精准控制遮光层高度高于功能焊盘且反光层与遮光层厚度适配，保障了遮光与反光的功能稳定性。

天眼查资料显示，天成高科（深圳）有限公司，成立于2012年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3200万人民币。通过天眼查大数据分析，天成高科（深圳）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息31条，专利信息139条，此外企业还拥有行政许可5个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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